Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения

Проведены магнитотранспортные исследования тонких пленок YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$ (YBCO) во внешних перпендикулярных магнитных полях $H$. Исследования проведены как для исходных образцов, так и для образцов после внешнего воздействия. В качестве внешнего воздействия использовалось облучение ионами ксенона. Изучены особенности уширения сверхпроводящего перехода пленок YBCO (исходных и облученных). Уширение сверхпроводящего перехода проанализировано в зависимости от внешнего магнитного поля $H$, а также от дозы облучения $n_D$. При обработке экспериментальных данных $R(H,T)$ отдельное внимание уделено критерию определения температурной зависимости верхнего критического поля $H_{c2}(T)$. Критерий проанализирован в зависимости от концентрации дефектов в пленке, соответствующей определенному значению $n_D$. Выяснено, что для исходного образца $H_{c2}$ следует определять по уровню сопротивления $R$ = 0.4$R_N$ внутри сверхпроводящего перехода, где $R_N$ = $R$ ($T$ = 100 K). При постепенном увеличении $n_D$ данный уровень сопротивления уменьшается. При достаточно высоких дозах облучения $n_D>$ 7 $\cdot$ 10$^{12}$ cm$^{-2}$ линию фазового перехода $H_{c2}(T)$ необходимо определять по уровню $R\approx$ 0.