Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния $6H/15R$

Исследованы оптически активные вакансионные кремниевые дефекты $(V_{\mathrm{Si}})$, обладающие электронным спином $S=3/2$ в гетероструктуре карбида кремния $6H-\mathrm{SiC}/15R-\mathrm{SiC}$, выращенной методом высокотемпературной сублимации. Методами низкотемпературной микро-фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показана возможность создания посредством облучения протонами с энергией $E=15$ MeV пяти спектрально-различимых типов $V_{\mathrm{Si}}$ центров в данном типе гетероструктуры. При этом каждый тип $V_{\mathrm{Si}}$ центров характеризуется бесфононной линией люминесценции и определенной величиной расщепления спиновых подуровней в нулевом магнитном поле. Таким образом, нами реализована возможность масштабирования числа оптически активных спиновых центров, заключенных в единую кристаллическую матрицу.