Эффективное токоиндуцированное перемагничивание в металлических наноструктурах

Методами магнетронного распыления изготовлены образцы металлических тонкопленочных наноструктур ферромагнетик (ФМ)|тяжелый металл (ТМ) и сформированы токопроводящие структуры с локально увеличенной плотностью тока. Из данных магнитных и транспортных измерений определена энергия перпендикулярной магнитной анизотропии и плотность тока, необходимая для перемагничивания структур. Проведено моделирование удельного сопротивления и тока, протекающего через слои наноструктур, отвечающие за генерацию спинового тока. Показано, что все образцы обладают магнитным откликом на пропускание тока вследствие спинового эффекта Холла. Для полученных наноструктур определены параметры удельного токоиндуцированного поля и эффективности токоиндуцированного переключения и их зависимость от типа ТМ и толщины ФМ-слоя. Результаты работы представляют интерес для изучения транспортных эффектов в многослойных структурах и разработки методов управления спиновыми текстурами для создания новых запоминающих и вычислительных устройств.