Динамическая восприимчивость нанокомпозита пористое стекло/Ga–In–Sn в области сверхпроводимости

В последнее время возрос интерес к исследованиям сплавов галлия в связи с их возможными применениями для самовосстанавливающихся сверхпроводящих контактов и проводов. Особое внимание обращается на сверхпроводящие свойства наноструктурированных сплавов. В настоящей работе проведены исследования динамической $(ac)$ восприимчивости нанокомпозита пористое стекло/Ga–In–Sn в температурном диапазоне 1.9–8 K и полях смещения до 5 T. Выявлено два сверхпроводящих перехода с температурами 5.6 и 3.1 K. Построены фазовые диаграммы. Продемонстрированы участки положительной кривизны критических линий, интерпретируемые в рамках модели, учитывающей эффект близости. По смещению максимумов мнимой части восприимчивости при изменении частоты переменного поля определены активационные барьеры для подвижности вихрей. Показано наличие излома на полевой зависимости активационных барьеров.