Моделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 2D-кристалле GaS с точечными дефектами

В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Показано, что электронное облучение монослоя GaS приводит к уменьшению проводимости за счет образования точечных дефектов. Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и энергетические свойства суперъячеек GaS с 36 и 48 атомами с моновакансиями. DFT-расчетами получены значения энергии образования GaS и вакансий атомов Ga и S, а также определена степень влияния вакансий на свойства. С учетом фазовой диаграммы Ga–S изучено влияние состава соединения GaS на величину химического потенциала.