|
Фазовые переходы
Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)
А. А. Корякинa, С. А. Кукушкинb, А. В. Осиповb, Ш. Ш. Шарофидиновb a Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Теоретически проанализирован механизм зарождения пленок нитрида алюминия, выращиваемых методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридных подложках 3C-SiC/Si(111). Определены температурные области и области давлений паров компонентов, в которых реализуются островковый и послойный механизмы роста. Теоретические выводы сравниваются с экспериментальными данными. Методом сканирующей электронной микроскопии изучена морфология пленки нитрида алюминия на 3C-SiC/Si(111) на начальной стадии роста. Предлагаются способы управления сменой механизма роста от островкового к послойному.
Ключевые слова:
нитрид алюминия, нитрид галлия, карбид кремния на кремнии, метод HVPE, нуклеация, широкозонные полупроводники, гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 22.09.2021 Исправленный вариант: 22.09.2021 Принята в печать: 26.09.2021
Образец цитирования:
А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, “Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 64:1 (2022), 117–124
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10950 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v64/i1/p117
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 59 | | PDF полного текста: | 40 |
|