Радиационная обработка краев трещины сверхпроводящего слоя при реставрации ВТСП-ленты

Численно, в рамках модели критического состояния определена плотность сверхпроводящих токов в ВТСП-ленте второго поколения на основе GdBa$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$. Показано, что при реставрации поперечной трещины сверхпроводящего слоя путем шунтирования трещины отрезком бездефектной ленты, критический ток реставрированного участка уменьшается на $\sim$8%. Показано, что предварительное радиационное облучение краев трещины ионами водорода, гелия, неона и кислорода позволяет восстановить первоначальное значение критического тока. Расчет воздействия излучения на сверхпроводящую ленту проводился с использованием комплекса программ SRIM.