Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2022, том 64, выпуск 4, страницы 428–436
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
(Mi ftt10993)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводники

Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе

С. Н. Мустафаеваa, М. М. Асадовbc, С. С. Гусейноваa, А. И. Джабаровa, В. Ф. Лукичевd

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Научно-исследовательский институт геотехнологических проблем нефти, газа и химии АГУНП, Баку, Азербайджан
d Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Аннотация: Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и электронные свойства 32 атомной суперъячейки полупроводникового соединения TlGaS$_2$, содержащей неодим. На выращенных новых монокристаллах TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ (0.3 mol.% Nd$_2$S$_3$) получены экспериментальные результаты по физическим свойствам. Изучены температурные (93–538 K) и частотные (5 $\cdot$ 10$^4$–3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz) зависимости проводимости на постоянном и переменном токе и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$. Установлено, что в TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ во всей изученной области частот имеют место потери на электропроводность, а перенос заряда носит прыжковый характер. Оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе в TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$.
Ключевые слова: DFT-расчет, суперъячейка TlGaS$_2$, легирование неодимом, энергетическая структура, плотность состояний, диэлектрические свойства, перенос заряда, монокристалл TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$, постоянный и переменный ток.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития науки при президенте Республики Азербайджан EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/05/1-M-13
Российский фонд фундаментальных исследований Az_a2018
Работа выполнена при частичной поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (EIF) (грант № EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/05/1-M-13) и Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) (проект № Az_a2018).
Поступила в редакцию: 03.12.2021
Исправленный вариант: 03.12.2021
Принята в печать: 08.12.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, С. С. Гусейнова, А. И. Джабаров, В. Ф. Лукичев, “Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе”, Физика твердого тела, 64:4 (2022), 428–436
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusAsaGus22}
\by С.~Н.~Мустафаева, М.~М.~Асадов, С.~С.~Гусейнова, А.~И.~Джабаров, В.~Ф.~Лукичев
\paper Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе
\jour Физика твердого тела
\yr 2022
\vol 64
\issue 4
\pages 428--436
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10993}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48453298}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10993
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v64/i4/p428
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025