Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния

Исследованы микроструктура и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si(111) и SiC/Si(110) методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного, в процессе роста слоев, образования системы гетеропереходов, состоящих из периодических расположенных перпендикулярно направлению роста слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N различного состава. Измерения пирокоэффициентов этих гетероструктур показали, что вне зависимости от ориентации исходной подожки Si их пирокоэффициенты имеют близкие значения порядка $\gamma\sim$ (0.7–1) $\cdot$ 10$^{-10}$ С/cm$^2$K. Показано, что для повышения величины пиротклика необходимо на поверхность Al$_x$Ga$_{1-x}$N/SiC/Si наносить слой AlN, толщиной превышающий 1 $\mu$m. Это приводит к рекордным, для кристаллов и пленок AlN, значениям пирокоэффициента $\gamma\sim$ 18 $\cdot$ 10$^{-10}$ С/cm$^2$K.