Фазовый переход металл–диэлектрик в тонких пленках диоксида ванадия, легированного индием

Исследована электропроводность тонких поликристаллических пленок V$_{(1-x)}$In$_x$O$_2$ в широком интервале температур, охватывающем области существования как металлической, так и диэлектрической фазы. Показано, что с ростом концентрации индия температура фазового перехода металл-диэлектрик понижается, а ширина температурной области сосуществования фаз монотонно увеличивается. Для объяснения температурной зависимости электропроводности диэлектрической фазы V$_{(1-x)}$In$_x$O$_2$ применена модель прыжковой проводимости, учитывающая влияние тепловых колебаний атомов на резонансный интеграл. Вычислены значения параметра $\varepsilon$ в зависимости от степени легирования VO$_2$.