|
Полупроводники
Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка
А. А. Рябкоa, Д. С. Мазингb, А. А. Бобковb, А. И. Максимовb, В. С. Левицкийa, Э. Ф. Лазневаc, А. С. Комоловc, В. А. Мошниковb, Е. И. Теруковa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Обнаружен эффект возрастания электропроводности системы наностержней оксида цинка ZnO в 10$^5$ раз при атомно-слоевом осаждении тонкого диэлектрического слоя оксида алюминия Al$_2$O$_3$. Показано, что изменение электропроводности ZnO при атомно-слоевом осаждении Al$_2$O$_3$ на поверхность наблюдается также в случае ZnO в виде тонких поликристаллических слоев. Представлено исследование поликристаллических слоев ZnO с покрытием из Al$_2$O$_3$ с помощью ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На основе результатов фотоэлектронной спектроскопии предложены два основных фактора изменения электропроводности, заключающиеся в образовании двумерного электронного газа на интерфейсе ZnO|Al$_2$O$_3$ и легировании приповерхностной области ZnO атомами алюминия.
Ключевые слова:
наностержни, оксид цинка, оксид алюминия, атомно-слоевое осаждение, прозрачные электроды, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия.
Поступила в редакцию: 16.06.2022 Исправленный вариант: 16.06.2022 Принята в печать: 18.06.2022
Образец цитирования:
А. А. Рябко, Д. С. Мазинг, А. А. Бобков, А. И. Максимов, В. С. Левицкий, Э. Ф. Лазнева, А. С. Комолов, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка”, Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1681–1689
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11187 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v64/i11/p1681
|
|