Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен

Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности подложки 4H-SiC в среде Ar с коротким временем сублимационного отжига, в квазисвободный эпитаксиальный графен, благодаря применению интеркаляции водорода на границе верхнего слоя SiC с соседним реконструированным слоем. Установлено нарушение однородности в образовании слоя реконструкции 6$\sqrt{3}$. Проведено сопоставление результатов структурного исследования кристаллической структуры квазисвободного графена и однослойного графена с буферным слоем без применения интеркаляции.