|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 1, страницы 50–55
(Mi ftt11256)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Сегнетоэлектричество
Зонно-энергетическая структура кристаллов LiNH$_4$SO$_4$
М. Я. Рудиш, В. И. Стадник, Р. С. Брезвин, П. А. Щепанский Львовский национальный университет им. И. Франко
Аннотация:
В рамках теории функционала электронной плотности установлено генетическое происхождение и рассчитаны зонно-энергетическая структура, а также полная и парциальная плотности электронных состояний кристаллов LiNH$_4$SO$_4$. Определены координаты атомов водорода в группах, уточнены позиции атомов в кристаллической решетке, а также параметры решетки. Установлено, что ширина запрещенной зоны кристаллов LiNH$_4$SO$_4$ составляет 5.32 eV.
Поступила в редакцию: 30.04.2014 Принята в печать: 09.07.2014
Образец цитирования:
М. Я. Рудиш, В. И. Стадник, Р. С. Брезвин, П. А. Щепанский, “Зонно-энергетическая структура кристаллов LiNH$_4$SO$_4$”, Физика твердого тела, 57:1 (2015), 50–55; Phys. Solid State, 57:1 (2015), 53–58
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11256 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i1/p50
|
|