Позитронная спектроскопия дефектов в субмикрокристаллическом никеле после низкотемпературного отжига

Путем измерения спектров времени жизни позитронов и доплеровского уширения аннигиляционной линии исследован отжиг дефектов в субмикрокристаллическом никеле, полученном методом равноканального углового прессования. Установлено, что в свежеприготовленных образцах позитроны захватываются дислокационными дефектами и вакансионными комплексами внутри кристаллитов. Размеры вакансионных комплексов уменьшаются с ростом температуры отжига в интервале $\Delta T$ = 20–300$^\circ$C, однако после отжига при $T$ = 360$^\circ$C они снова увеличиваются. Из спектров доплеровского уширения аннигиляционной линии был получен $R$-параметр, который не зависит от концентрации дефектов, а определяется только их типом. Обнаружено, что интервалам температур $\Delta T$ = 20–180 и 180–360$^\circ$C соответствуют два значения $R$-параметра $(R_1,R_2)$. Показано, что в интервале температур $\Delta T$ = 20–180$^\circ$C преобладающими центрами захвата позитронов являются малоугловые границы, обогащенные примесями, а в интервале температур $\Delta T$ = 180–360$^\circ$C – малоугловые границы.