|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 2, страницы 267–271
(Mi ftt11291)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводники
Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка
А. С. Гурин, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, П. Г. Баранов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом высокочастотного (94 GHz) оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) исследовано длительное послесвечение при гелиевых температурах монокристаллов ZnO, выращенных гидротермальным методом. Регистрация по интенсивности послесвечения гигантских (до 30%) сигналов электронного парамагнитного резонанса мелких доноров и глубоких акцепторов, представляющих собой атомы лития, замещающие цинк в решетке ZnO, однозначно указывает на спин-зависимый характер донорно-акцепторной рекомбинации. Обнаружены изменения формы зарегистрированных по послесвечению спектров ОДМР акцепторов лития в зависимости от интервала времени, прошедшего после прекращения облучения, которые связаны с различием рекомбинации мелких доноров с аксиальными и неаксиальными центрами LiZn и изменением характера рекомбинации со временем.
Поступила в редакцию: 22.07.2014
Образец цитирования:
А. С. Гурин, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, П. Г. Баранов, “Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка”, Физика твердого тела, 57:2 (2015), 267–271; Phys. Solid State, 57:2 (2015), 280–284
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11291 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i2/p267
|
|