|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 2, страницы 277–282
(Mi ftt11293)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Упругое рассеяние экситонных поляритонов
Н. С. Аверкиевa, Г. М. Савченкоb, Р. П. Сейсянa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Проведен теоретический расчет вероятности упругого рассеяния на примесях экситонных поляритонов, в тонких образцах GaAs. Показано, что в тонких образцах технически чистого GaAs выполняются условия существования экситонных поляритонов, и продемонстрировано, что в GaAs учет поляритонного эффекта приводит лишь к незначительному уменьшению вероятности рассеяния, рассчитанной для “голого” экситона. Обсуждается роль упругого рассеяния экситонных поляритонов в поглощении света полупроводником.
Поступила в редакцию: 01.09.2014
Образец цитирования:
Н. С. Аверкиев, Г. М. Савченко, Р. П. Сейсян, “Упругое рассеяние экситонных поляритонов”, Физика твердого тела, 57:2 (2015), 277–282; Phys. Solid State, 57:2 (2015), 290–295
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11293 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i2/p277
|
|