Зависимость удельного электросопротивления на переменном токе слоев алмазоподобного углерода в наноструктуре In/DLC//Si/In от толщины DLC

Посредством анализа спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноразмерных DLC-покрытий подтверждено увеличение количества атомов углерода с $sp^2$-гибридизацией электронных орбиталей от 8 до 21% при увеличении толщины от 22 до 46 nm. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии зафиксировано незначительное окисление и азотирование поверхности DLC. Предложена эквивалентная электрическая схема для описания частотных зависимостей импеданса слоя DLC и потенциального барьера на границе DLC//Si. Установлено, что удельное электросопротивление DLC в квазистатическом пределе уменьшается от 1000 до 1 $\Omega$ $\cdot$ m при росте толщины от 22 до 71 nm. Зафиксировано, что импеданс структуры In/DLC//Si/In может уменьшаться до 20 раз при варьировании напряжения смещения в диапазоне -4 – +4 V относительно подложки Si.