Графен на ферромагнитном изоляторе EuX (X = O, S, Se, Te)

Предложена простая модель плотности состояний EuX, учитывающая зоны $p$-состояний атомов X, зоны 4$f$- и 6$s$-состояний атомов Eu. В рамках этой модели определено влияние подложки на одослойный графен: оказалось, что основную роль играет $p$-зона X. Получены аналитические выражения для перехода заряда между графеном и халькогенидом европия и намагниченности графена, наведенной зеемановским обменном полем атомов европия.