Транспортные свойства нанокомпозитных термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

Проведены экспериментальные исследования модификации транспортных свойств (теплопроводность, электропроводность и коэффициент Зеебека) наноструктурированных термоэлектриков на основе Ge и Si–Ge с включениями второй фазы. В качестве модифицирующих включений в нанокомпозите Ge–C$_{60}$ присутствовали фуллерен C$_{60}$, располагающийся по границам зерен германия, и нанокристаллы SiC размером 1–5 nm в нанокомпозите Si–Ge–SiC. В частности, наличие таких включений приводит к увеличению коэффициента Зеебека в области температур выше 600 K и в целом к возрастанию термоэлектрической эффективности ZT в 1.5–2 раза по сравнению с аналогичными характеристиками наноструктурированных термоэлектриков на основе Si–Ge без модифицирующих включений второй фазы.