Формирование силицидов марганца на поверхности Si(111)7 $\times$ 7

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(111)7 $\times$ 7, находящейся при комнатной температуре, и реакции твердофазного синтеза силицидов марганца, протекающие при отжиге этих пленок в диапазоне температур до 600$^\circ$C. Показано, что нанесение Mn на поверхность кремния приводит к образованию интерфейсного силицида марганца и пленки твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения $\sim$6 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn. При этом в диапазоне покрытий до 17 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn наблюдается сегрегация кремния. Отжиг образца, на поверхность которого было нанесено 25 $\mathring{\mathrm{A}}$ Mn, проводимый в интервале температур 200 $\div$ 400$^\circ$C, приводит к формированию твердого раствора Mn–Si и моносилицида марганца. Дальнейшее повышение температуры до 600$^\circ$C приводит к перестройке MnSi в полупроводниковый силицид MnSi$_{1.7}$.