Остаточные напряжения в стержнях сапфира, выращиваемых способом Степанова

Поляризационно-оптическим методом исследованы остаточные напряжения в цилиндрических кристаллах сапфира ориентации [0001]. По величине расхождения изогир определялся угол оптических осей $2V$ и находилась разность нормальных компонент тензора упругих остаточных напряжений $(\sigma_\varphi-\sigma_r)$. Найдено, что на поверхности слитка действуют тангенциальные растягивающие напряжения величиной не более 20 МPа. Проведено сравнение остаточных напряжений с расчетными величинами термоупругих напряжений, возникающих при выращивании кристалла в данной тепловой зоне. Показано, что найденная картина остаточных напряжений может быть вызвана термоупругими напряжениями, развивающимися в непосредственной близости от фронта кристаллизации.