Нестационарная фотоэдс в широкозонном диэлектрике MnO

Несмотря на то, что оксид марганца является широкозонным диэлектриком с шириной запрещенной зоны $E_g\backsimeq$ 4 eV и в нелегированном состоянии характеризуется высоким удельным сопротивлением, экспериментально обнаружено явление нестационарной фотоэдс на динамических решетках объемного заряда, формируемых в MnO светом с энергией фотонов 1.96 eV ($\lambda$ = 633 nm). Изучены зависимости амплитуды сигнала фотоэдс от частоты фазовой модуляции, интенсивности света и пространственной частоты интерференционной картины. Для объяснения необычной частотной зависимости сигнала использована двухуровневая модель полупроводника, учитывающая присутствие мелких ловушек в кристалле. Определены фотоэлектрические параметры материала.