Электронно-лучевая запись микродоменов на неполярной поверхности кристаллов LiNbO$_3$ при различных ускоряющих напряжениях РЭМ

Исследовано влияние ускоряющего напряжения $U$ электронного луча РЭМ на характеристики микродоменов, записанных электронно-лучевым методом на неполярной $Y$-поверхности кристаллов LiNbO$_3$. Толщина $T_d$ доменов вдоль направления $Y$ определяется глубиной пробега Re первичных электронов, зависящей от $U$. Благодаря этому величина $T_d$ может быть задана в интервале $\sim$ 0.2–4 $\mu$m при $U$ = 5–25 kV соответственно. Выполнены оценки коэффициента эмиссии электронов $\sigma$ для различных $U$, превышающих значение второй равновесной точки $U_2$ $(\sigma=1)$ на диаграмме $\sigma(U)$. По этим данным построена зависимость $\sigma(U)$ для LiNbO$_3$. На основании экспозиционных характеристик длины $L_d$ доменов, растущих вдоль полярной оси $Z$, установлена зависимость поля пространственного заряда, определяющего планарный рост доменов вдоль $Z$, от поверхностной эмиссии электронов $\sigma$.