Формирование и легирование литием графена на поверхности силицида кобальта

Методами фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс интеркаляции кремния под графен на поверхности Co(0001), сопровождающийся образованием твердого раствора кремния в кобальте и формированием поверхностной кристаллической фазы Co$_2$Si. Показано, что образование силицида приводит к существенному ослаблению гибридизации электронных состояний графена и кобальта и восстановлению дираковского спектра электронных состояний графена вблизи уровня Ферми. Последнее позволило изучить процесс электронного допирования графена на подложке силицида кобальта при осаждении лития на его поверхность. Обнаружено, что легирование литием приводит к значительному переносу заряда на графен. При этом концентрация электронов достигает 3.1 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$. Более того, особая форма поверхности Ферми создает благоприятные условия для усиления электрон-фононного взаимодействия, благодаря чему сформированная система может рассматриваться в качестве кандидата для получения сверхпроводимости в однослойном графене.