Мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$/ZrO$_2$(Y)/Cr/Cu/Cr

Представлены результаты исследования мемристивных свойств нанокомпозитных (НК) структур Cu/НК/ZrO$_2$(Y)/Cr/Cu/Cr/ситалл на основе НК (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$. Показано, что использование диэлектрической прослойки ZrO$_2$(Y) и НК позволяет достичь практически значимых мемристивных характеристик: напряжения резистивного переключения (РП) до 2.5 V, отношения сопротивлений $R_{\text{off}}/R_{\text{on}}$ более 10. При этом реализуется многоуровневый характер РП при временной стабильности индуцированных резистивных состояний не менее 1 h. Мемристивные структуры демонстрируют незначительный разброс напряжений РП от цикла к циклу (около 5%). При этом отсутствует необходимость процесса формования образцов для достижения устойчивых РП. Представленные результаты показывают возможность создания новых мемристивных структур с многофиламентным механизмом переключения при использовании в качестве одного из электродов НК с концентрацией металлической фазы ниже порога перколяции.