|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 6, страницы 1134–1137
(Mi ftt11525)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Сегнетоэлектричество
Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$
Д. А. Киселевab, М. С. Афанасьевb, С. А. Левашовb, Г. В. Чучеваb a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Аннотация:
Показана возможность создания устойчивых доменных состояний в пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика как на исходной поверхности, так и в предварительно поляризованной области пленки. Проведен расчет скорости бокового движения доменной стенки, коэрцитивного поля, минимального размера домена и времени записи для создания домена приложенным напряжением.
Поступила в редакцию: 15.12.2014
Образец цитирования:
Д. А. Киселев, М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$”, Физика твердого тела, 57:6 (2015), 1134–1137; Phys. Solid State, 57:6 (2015), 1151–1154
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11525 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i6/p1134
|
|