Дислокационные петли в сплошных и полых полупроводниковых и металлических наногетероструктурах

Рассмотрены теоретические модели релаксации напряжений несоответствия в сплошных и полых композитных наночастицах полупроводников и металлов типа “ядро-оболочка” за счет образования дислокаций двух типов: круговой призматической дислокационной петли (ПДП), залегающей на границе раздела в экваториальной плоскости наночастицы, и прямоугольной ПДП, прорастающей со свободной поверхности такой наночастицы и вытянутой вдоль ее поверхности. Проведено сравнение критических условий зарождения таких петель. Показано, что в случае относительно малых значений решеточного несоответствия материалов ядра и оболочки выгодно либо когерентное (бездислокационное) состояние наночастицы, либо ее релаксированное состояние с круговой ПДП на границе раздела. При больших значениях несоответствия когерентное состояние невыгодно. В этом случае по мере роста толщины оболочки можно ожидать сначала появления прямоугольных ПДП, потом круговых ПДП при сохранении прямоугольных ПДП, а затем постепенного разрастания и трансформации прямоугольных ПДП в круговые.