Зависимость спектров носителей заряда от концентрации дефектов в теллуриде серебра

Рассмотрено изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от концентрации электрически активных дефектов в телллуриде серебра. Установлено, что электроотрицательные дефекты приводят к увеличению ширины запрещенной зоны $\varepsilon_{g_0}$, а электроположительные дефекты – к уменьшению $\varepsilon_{g_0}$. Выявлено, что в Ag$_2$Te при добавках $\ge$ 0.75 аt.% Те величина $\varepsilon_{g_0}$ оказалась необычно малой ($\sim$ 0.008 eV). Если учесть ее температурную зависимость $\varepsilon_g$ = (0.008 – 7$\cdot$10$^{-5}$T) eV, то при $T>$ 100 K имеет место бесщелевое состояние. За счет изменения концентрации электроактивных дефектов теллурид серебра приобретает $n$- и $p$-тип проводимости в отличие от другиx халькогенидов серебра (Ag$_2$S и Ag$_2$Sе).