Эффективная гексагональная магнитная анизотропия гематита: учет высших инвариантов

На основе термодинамического потенциала, включающего новые магнитоупругие инварианты, рассчитан обусловленный гидростатическим давлением вклад в величину базисной магнитной анизотропии ромбоэдрического легкоплоскостного слабого ферромагнетика. Показано, что учет магнитоупругих слагаемых более высокого по магнитным переменным порядка позволяет промоделировать наблюдаемое существенное возрастание константы эффективной гексагональной анизотропии в напряженном кристалле гематита действием сравнительно слабого гидростатического давления. Такой подход позволяет получить пропорциональные давлению добавки к константам кубической и гексагональной анизотропии. Вклад новых слагаемых в эффективную гексагональную анизотропию существенно больше того, что дает рассмотренная нами ранее добавка к константе одноосной анизотропии. Для гематита приведены оценки магнитоупругих констант высшего порядка.