Влияние облучения электронами монокристаллов ZnGeP$_2$ на терагерцевые потери в широком интервале температур

Измерены спектры отражения и пропускания облученных электронами с энергией 4 MeV монокристаллических образцов ZnGeP$_2$ в диапазоне частот 5–5000 cm$^{-1}$ в интервале температур 10–300 K. На их основе методом дисперсионного анализа смоделированы спектры комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon^*(\nu)$ и коэффициента поглощения $\alpha(\nu)$. Установлено, что облучение электронами, снижающее потери в области накачки в 2–3 раза, не приводит к дополнительным потерям в области генерации терагерцевого излучения.