|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 8, страницы 1479–1483
(Mi ftt11582)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Диэлектрики
Исследование фотоэлектрической составляющей механизма светоиндуцированного падения сопротивления в кристаллах SrTiO$_3$
С. И. Шаблаев, А. И. Грачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Результаты экспериментального наблюдения фотоэдс в образце кристалла SrTiO$_3$, демонстрирующем эффект светоиндуцированного падения сопротивления, подтвердили предложенную ранее модель эффекта в ее фотоэлектрической части. Однако кроме ожидавшегося проявления барьерной фотоэдс обнаружен еще один источник фототока, приписанный проявлению линейного фотогальванического эффекта в приповерхностной области кристалла. Предполагается, что главную роль в генерации фотогальванического тока могут играть дипольные центры типа кислородная вакансия-трехзарядный ион титана, ориентируемые электрическим полем поверхностного барьера.
Поступила в редакцию: 18.02.2015
Образец цитирования:
С. И. Шаблаев, А. И. Грачев, “Исследование фотоэлектрической составляющей механизма светоиндуцированного падения сопротивления в кристаллах SrTiO$_3$”, Физика твердого тела, 57:8 (2015), 1479–1483; Phys. Solid State, 57:8 (2015), 1500–1504
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11582 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i8/p1479
|
|