Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы

Изучены процессы роста и кристаллическая структура слоев NiF$_2$ на гетероэпитаксиальных подложках CaF$_2$/Si(111). Показано, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 350–450$^\circ$C удается реализовать устойчивый эпитаксиальный рост метастабильной орторомбической фазы NiF$_2$ (структурный тип CaCl$_2$), при этом толщина слоя фторида никеля в метастабильной фазе может достигать 1 $\mu$m. Методами рентгеновской дифрактометрии определены параметры элементарной ячейки в слоях орторомбического фторида никеля: $a$ = 4.5680(1) $\mathring{\mathrm{A}}$, $b$ = 4.7566(3) $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 3.0505(2) $\mathring{\mathrm{A}}$, которые очень близки к известным для этой фазы значениям. Установлено, что в широком диапазоне параметров роста выполняется условие (100)$_{\mathrm{NiF}_2}$ || (111)$_{\mathrm{CaF}_2}$, что согласуется с результатами качественного кристаллографического анализа элементов подобия рассматриваемых структур. При этом в плоскости гетерограницы наблюдается образование доменной текстуры, характер которой зависит от температуры роста и толщины слоев фторида никеля.