Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена

Исследованы эффекты переключения в композитных пленках на основе полифункциональных полимеров – производных карбазола (PVK) и флуорена (PFD), а также частиц графена (Gr) и оксида графена (GO). Концентрация частиц Gr и GO в матрице PVK(PFD) варьировалась в пределах 2–3 wt.%, что соответствует порогу перколяции в таких системах. Проведены исследования атомного состава композитных пленок PVK : GO с помощью рентгеновкой фотоэлектронной спектроскопии. Установлено, что эффект переключения в структурах вида Al/PVК(PFD):GO(Gr)/ITO/PET проявляется в резком изменении сопротивления композитной пленки из низкопроводящего в относительно высокопроводящее состояние при подаче смещения на Al–ITO-электроды $\sim$ 0.1–0.3 V ($E\sim$ 3–5 $\cdot$ 10$^4$ V/cm), что ниже пороговых напряжений переключения для других подобных композитов. Обсуждается механизм переключения сопротивления, который ассоциируется с процессами захвата и накопления носителей заряда частицами Gr (GO) помещенными в матрицу как высокомолекулярного (PVК), так и относительно низкомолекулярного (PFD) полимера.