|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 10, страницы 1913–1915
(Mi ftt11652)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости кристаллов Tl$_6$SI$_4$
С. Н. Мустафаеваa, Д. М. Бабанлыb, М. М. Асадовb, Д. Б. Тагиевb a Институт физики НАН Азербайджана
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку
Аннотация:
Экспериментальные результаты изучения частотных зависимостей диэлектрических характеристик и проводимости полученных кристаллов Tl$_6$SI$_4$ позволили установить природу диэлектрических потерь и прыжковый механизм переноса заряда, оценить параметры локализованных состояний в запрещенной зоне, такие как плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, среднее время и длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе.
Поступила в редакцию: 15.04.2015
Образец цитирования:
С. Н. Мустафаева, Д. М. Бабанлы, М. М. Асадов, Д. Б. Тагиев, “Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости кристаллов Tl$_6$SI$_4$”, Физика твердого тела, 57:10 (2015), 1913–1915; Phys. Solid State, 57:10 (2015), 1963–1965
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11652 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i10/p1913
|
|