Низкоомные и высокоомные состояния в пленках титаната стронция, сформированных золь-гель-методом

Продемонстрировано изменение сопротивления в структурах на основе титаната стронция, сформированных золь-гель-методом. Переход из высокоомного состояния в низкоомное осуществляется при достижении напряжения смещения на конденсаторной структуре кремний/диоксид титана/платина/титанат стронция/никель около 10 V для пленки титаната стронция толщиной около 300 nm. Электрическое сопротивление изменяется от единиц $\Omega$ до десятков k$\Omega$. Для более толстой пленки ($\sim$ 400 nm) напряжение переключения возрастает, тогда как сопротивление структуры в высокоомном состоянии достигает сотен kOmega. Предположительно основную роль в изменении сопротивления играют глубокие уровни, заселенность которых изменяется приложенным напряжением. Обсуждаются перспективы использования полученных пленок титаната стронция в мемристорных элементах памяти.