Механизм формирования нанопленок дисилицида иттербия на грани Si(111)

Экспериментально исследованы пленочные структуры Yb–Si(111) при различных толщинах пленок и температурах подложки 300–1500 K. Определены температуры, при которых начинается и заканчивается формирование дисилицида иттербия, его термостойкость и работа выхода. Показано, что образование дисилицида Yb происходит при сравнительно низких температурах. Предложен механизм, объясняющий этот факт. Этот механизм объясняет также, почему и каким образом иттербий трансформирует кремний в силицид, несмотря на то, что связь между атомами в кремниевом кристалле более прочная, чем в силициде.