Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te (КРТ) на подожках GaAs и Si ориентации (013). Введение промежуточных слоев ZnTe и CdTe позволило сохранить в эпитаксиальных слоях КРТ ориентацию, близкую к ориентации подложки, несмотря на сильное рассогласование параметров решеток. Структуры исследованы методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Установлены дислокационные семейства, преимущественно снимающие несоответствие параметров решеток. С помощью электронной микроскопии зарегистрированы $\Gamma$-образные дислокации несоответствия (ДН), для которых облегчена аннигиляция пронизывающих дислокаций. Измерены углы разворота решеток, вызванные формированием сеток дислокаций несоответствия. Показано, что плотность пронизывающих дислокаций в активной области фотодиодов определяется в основном сеткой дислокаций несоответствия, формирующейся на гетерогранице КРТ/CdTe. Снижение плотности пронизывающих дислокаций в пленке КРТ достигается при циклическом отжиге в условиях, когда максимально облегчается неконсервативное движение дислокаций. Плотность определялась по ямкам травления.