Диэлектрические свойства сегнетоэлектрических кристаллов бетаинфосфита с высокой степенью дейтерирования

Исследованы диэлектрические свойства кристаллов дейтерированного бетаинфосфита с высокой степенью дейтерирования в области антиферродисторсионного при $T=T_{c1}$ и сегнетоэлектрического при $T=T_{c2}$ фазовых переходов. Проведено описание температурного поведения диэлектрической проницаемости бетаинфосфита и дейтерированного бетаинфосфита в рамках термодинамической модели Ландау с учетом биквадратичной связи между полярным параметром порядка сегнетоэлектрического перехода и неполярным параметром антиферродисторсионного перехода. Показано, что с увеличением степени дейтерирования связь между параметрами порядка уменьшается. Повышение температуры сегнетоэлектрического фазового перехода при дейтерировании бетаинфосфита обусловлено увеличением диэлектрической проницаемости в симметричной фазе выше температуры антиферродисторсионного фазового перехода.