Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

Проведено исследование магнитных свойств гибридных структур SiC/Si, выращенных на поверхностях $n$- и $p$-типов кремния методом вакансионного согласованного замещения атомов (VMCSA). Измерения намагниченности образцов проводились на установках SQUID при температурах 5, 100 и 350 K при напряженностях внешнего магнитного поля от -25 до 25 kOe и методом Фарадея на установке “Faraday Balance” при комнатной температуре в полях от -11 до 11 kOe. Анализ полевых зависимостей намагниченности, полученных в эксперименте, показал высокую эффективность совместного использования этих методик для интерпретации полученных результатов. Удалось обнаружить и объяснить возникновение парамагнитной составляющей намагниченности формированием суперпарамагнитного состояния вакансий в карбиде кремния. Были обнаружены осцилляции, периодические по обратному полю, идентифицированные как эффект де Гааза-ван Альфена, а также осцилляции Ааронова–Бома, обусловленные захватом квантов магнитного потока на дефекты гибридной структуры.