|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 2, страницы 209–223
(Mi ftt11880)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 125 научных статьях (всего в 125 статьях)
Обзоры
Электронная структура оксида кремния (Обзор)
С. С. Некрашевич, В. А. Гриценко Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Аморфные пленки оксида кремния являются ключевым диэлектриком в кремниевых интегральных схемах. Физические свойства оксида кремния определяются его электронной структурой. Cистематизированы современные сведения об электронной структуре оксида кремния.
Поступила в редакцию: 03.07.2013
Образец цитирования:
С. С. Некрашевич, В. А. Гриценко, “Электронная структура оксида кремния (Обзор)”, Физика твердого тела, 56:2 (2014), 209–223; Phys. Solid State, 56:2 (2014), 207–222
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11880 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i2/p209
|
|