Модифицирование диэлектрических свойств монокристалла CdIn$_2$S$_4$ при легировании медью

Изучение диэлектрических свойств монокристалла CdIn$_2$S$_4$ $\langle$3 mol.% Cu$\rangle$ в переменных электрических полях частотой $f$ = 5 $\cdot$ 10$^4$ – 3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz позволило установить природу диэлектрических потерь (релаксационные потери, сменяющиеся при высоких частотах потерями сквозного тока). Определено значение инкремента диэлектрической проницаемости $\Delta\varepsilon'$ = 123, а также частоты релаксации $f_r$ = 2.3 $\cdot$ 10$^4$ Hz и времени релаксации $\tau$ = 43 $\mu$s в CdIn$_2$S$_4$ $\langle$Cu$\rangle$. Установлено, что легирование монокристалла CdIn$_2$S$_4$ медью (3 mol.%) приводит к существенному увеличению диэлектрической проницаемости $(\varepsilon')$, тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ и ac-проводимости $(\sigma_{\mathrm{ac}})$. При этом частотная дисперсия $\varepsilon'$ и $\operatorname{tg}\delta$ возрастает, а дисперсия $\sigma_{\mathrm{ac}}$ уменьшается.