|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 2, страницы 331–336
(Mi ftt11898)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Примесные центры
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика–полупроводника TlGaSe$_2$
А. П. Одринский Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
Аннотация:
В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1–0.7 eV. Обсуждаются особенности их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода.
Поступила в редакцию: 27.02.2013 Принята в печать: 02.07.2013
Образец цитирования:
А. П. Одринский, “Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика–полупроводника TlGaSe$_2$”, Физика твердого тела, 56:2 (2014), 331–336; Phys. Solid State, 56:2 (2013), 335–340
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11898 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i2/p331
|
|