Начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(100)2 $\times$ 1, находящейся при комнатной температуре, и выявлена динамика изменения их фазового состава и электронной структуры с ростом покрытия. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид марганца и пленка твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения $\sim$ 0.9 nm Mn. При этом в диапазоне покрытий до 1.6 nm Mn наблюдается сегрегация кремния на поверхности пленки.