|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 3, страницы 448–458
(Mi ftt11917)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Диэлектрики
Электронные возбуждения и люминесценция монокристаллов SrMgF$_4$
В. А. Пустоваровa, И. Н. Огородниковa, S. I. Omelkovb, Л. И. Исаенкоc, А. П. Елисеевc, А. А. Голошумоваc, С. И. Лобановc, П. Г. Криницынc a Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина,
Екатеринбург, Россия
b Institute of Physics, University of Tartu, Tartu, Estonia
c Институт геологии и минералогии СО РАН,
Новосибирск, Россия
Аннотация:
Методом Бриджмена выращены монокристаллы SrMgF$_4$ и исследована их электронная и кристаллическая структура. Исследование нелегированных монокристаллов SrMgF$_4$ выполнено методом низкотемпературной ($T$ = 10 K) люминесцентно-оптической вакуумно-ультрафиолетовой спектроскопии с временным разрешением при селективном возбуждении синхротронным излучением (3.7–36 eV). На основании измеренных спектров отражения и рассчитанных спектров оптических констант впервые определены параметры электронной структуры: минимальная энергия межзонных переходов $E_g$ = 12.55 eV, положение первого экситонного максимума $E_{n=1}$ = 11.37 eV, положение максимума полосы возбуждения “экситонной” люминесценции при 10.7 eV и положение края фундаментального поглощения при 10.3 eV. Установлено, что возбуждение фотолюминесценции происходит преимущественно в области низкоэнергетического края фундаментального поглощения кристалла, а при энергиях выше $E_g$ передача энергии от матрицы к центрам свечения неэффективна. Миграция экситонов является основным каналом возбуждения полос фотолюминесценции при 2.6–3.3 и 3.3–4.2 eV, прямое фотовозбуждение характерно для фотолюминесценции дефектов при 1.8–2.6 и 4.2–5.5 eV.
Поступила в редакцию: 13.06.2013
Образец цитирования:
В. А. Пустоваров, И. Н. Огородников, S. I. Omelkov, Л. И. Исаенко, А. П. Елисеев, А. А. Голошумова, С. И. Лобанов, П. Г. Криницын, “Электронные возбуждения и люминесценция монокристаллов SrMgF$_4$”, Физика твердого тела, 56:3 (2014), 448–458; Phys. Solid State, 56:3 (2014), 456–467
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11917 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i3/p448
|
|