Зависимость критического радиуса частичных дислокационных петель от энергии дефекта упаковки в полупроводниках

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано распределение дислокационных петель по размерам в полупроводниках CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge. Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках.