|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 5, страницы 883–887
(Mi ftt11987)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Временна́я динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP
В. Я. Алешкинab, Д. И. Бурдейныйa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Вычислена динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP при фотовозбуждении коротким световым импульсом. Показано, что динамика фотопроводимости в наносекундном интервале времен определяется процессами остывания электронов, а роль каскадного захвата электронов на примесь незначительна в этом интервале. Предсказана немонотонная зависимость фотопроводимости от времени, обусловленная конкуренцией между различными механизмами релаксации импульса электрона.
Поступила в редакцию: 29.10.2013
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, Д. И. Бурдейный, “Временна́я динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP”, Физика твердого тела, 56:5 (2014), 883–887; Phys. Solid State, 56:5 (2014), 917–921
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11987 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i5/p883
|
|