|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 6, страницы 1055–1059
(Mi ftt12017)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводники
Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$ на постоянном и переменном токе
С. Н. Мустафаеваa, М. М. Асадовb, А. И. Джаббаровa a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт химических проблем НАН Азербайджана,
Баку, Азербайджан
Аннотация:
Приведены экспериментальные результаты изучения температурной и частотной зависимостей проводимости на постоянном и переменном токе, дисперсии диэлектрических коэффициентов выращенных монокристаллов твердого раствора (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$. Установлены природа диэлектрических потерь, прыжковый механизм переноса заряда, оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и длина прыжков носителей заряда, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе.
Поступила в редакцию: 18.12.2013
Образец цитирования:
С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, А. И. Джаббаров, “Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe$_2$)$_{0.1}$(TlGaTe$_2$)$_{0.9}$ на постоянном и переменном токе”, Физика твердого тела, 56:6 (2014), 1055–1059; Phys. Solid State, 56:6 (2014), 1096–1100
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12017 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i6/p1055
|
|