Транспортные свойства сегнетоэлектрического туннельного перехода в бислойных структурах сегнетоэлектрик/манганит

Представлены результаты экспериментального исследования протекания тока через наноразмерный слой сегнетоэлектрика в серии бислойных структур сегнетоэлектрик/манганит (БССМ), изготовленных методом аэрозольного осаждения металлоорганических соединений на подложку MgO. Показано, что варьирование толщины слоя сегнетоэлектрика в БССМ ведет к изменению температуры фазового перехода металл-изолятор слоя манганита, а также влияет на транспортные свойства структуры сегнетоэлектрик/манганит. На основе анализа экспериментальных результатов показано, что поляризационные свойства сегнетоэлектрического слоя проявляются вплоть до толщины сегнетоэлектрика 4 nm. В ходе теоретического анализа предполагается двойственная природа механизма проводимости бислойных структур, объединяющая туннелирование электронов через сегнетоэлектрический барьер и омическое протекание тока по слою манганита. Обсуждается возможность сохранения механизма туннелирования носителей заряда в БССМ через слой сегнетоэлектрика вплоть до толщины 6 nm.