|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 7, страницы 1391–1396
(Mi ftt12077)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика поверхности, тонкие пленки
Кинетика окисления приповерхностных слоев обогащенного кремния $^{29}$Si в магнитном поле
О. В. Коплакab, А. И. Дмитриевa, Р. Б. Моргуновa a Институт проблем химической физики РАН,
Черноголовка, Россия
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Аннотация:
Обнаружено, что в магнитном поле $\sim$ 0.1 T различается кинетика окисления поверхности кремния. Скорость образования кислородсодержащих комплексов SiO$_x$, содержащих ядра $^{29}$Si со спином 1/2 (72.76%), на начальном этапе окисления вдвое превышает скорость реакции с участием комплексов, содержащих ядра $^{28}$Si и $^{30}$Si с нулевыми спинами.
Поступила в редакцию: 23.12.2013
Образец цитирования:
О. В. Коплак, А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, “Кинетика окисления приповерхностных слоев обогащенного кремния $^{29}$Si в магнитном поле”, Физика твердого тела, 56:7 (2014), 1391–1396; Phys. Solid State, 56:7 (2014), 1443–1448
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12077 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i7/p1391
|
|