Фотоэмиссионная электронная микроскопия массивов субмикронных столбиков никеля в матрице диоксида кремния

Методом фотоэмиссионной электронной микроскопии с использованием высокоинтенсивного синхротронного (ондуляторного) излучения исследовались массивы столбиков Ni диаметром $\sim$500 nm, сформированные при сочетании ионно-трековой технологии и электрохимического осаждения в матрицу SiO$_2$ на поверхности пластин монокристаллического кремния. Анализ Ni $L_{2,3}$-спектров ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения показывает, что столбики в порах, а также соединительные перегородки между ними образованы фазой металлического никеля, который устойчив к процессам окисления атмосферным кислородом воздуха. На гетерогранице Ni/SiO$_2$ не происходит образования фаз промежуточных соединений (силицидов и оксидов никеля), в то время как на поверхности SiO$_2$-матрицы регистрируются окисленные формы Ni(II), которые предположительно можно связать с его силикатными и гидроксидными соединениями, образующимися в результате процессов хемосорбции Ni(II) в электролитах электрохимического осаждения.